RF/LO频率范围：210GHz~230GHz
IF频率范围：50MHz~5GHz
变频损耗：13dB(典型值)
LO-RF隔离度：20dB(典型值)
RF输入P1dB：6dBm
LO驱动功率：13dBm
芯片尺寸：1.25 mm×0.82 mm×0.05 mm

RF/LO频率范围：200GHz~220GHz
IF频率范围：DC~15GHz
变频损耗：12dB(典型值)
射频输入P1dB：-5dBm
本振驱动功率：0dBm
直流供电：G1=-0.3V；G2=-0.6V；D1=D2=1.7V
芯片尺寸：2.80 mm×0.97 mm×0.05 mm

RF/LO频率范围：75GHz~110GHz
IF频率范围：DC~12GHz
变频损耗：9dB(典型值)
LO-RF隔离度：10dB(典型值)
射频输入P1dB：3dBm
本振驱动功率：0dBm
直流供电：Vg1=-0.5V；Vg2=-0.3V；Vd=4V
芯片尺寸：1.10 mm×2.20 mm×0.07 mm

RF/LO频率范围：75GHz~110GHz
IF频率范围：DC~12GHz
变频损耗：9dB(典型值)
LO-RF隔离度：20dB(典型值)
射频输入P1dB：3dBm
本振驱动功率：8dBm
直流供电：Vg=-0.5V
芯片尺寸：1.20 mm×1.10 mm×0.07 mm

RF频率范围：70GHz~110GHz
LO频率范围：60GHz~70GHz
IF频率范围：DC~35GHz
变频损耗：12dB(典型值)
LO-RF隔离度：25dB(典型值)
射频输入P1dB：6dBm
本振驱动功率：13dBm
芯片尺寸：1.30 mm×1.20 mm×0.07 mm

RF频率范围：70GHz~110GHz
LO频率范围：60GHz~70GHz
IF频率范围：DC~35GHz
变频损耗：14dB(典型值)
LO-RF隔离度：20dB(典型值)
射频输入P1dB：3dBm
本振驱动功率：8dBm
直流供电：Vg=-0.8V
芯片尺寸：1.20 mm×0.90 mm×0.07 mm

RF/LO频率范围：70GHz~90GHz
IF频率范围：DC~12GHz
变频损耗：8.5dB(典型值)
LO-RF隔离度：12dB(典型值)
射频输入P1dB：3dBm
本振驱动功率：0dBm
直流供电：Vg1=-0.5V；Vg2=-0.3V；Vd=4V
芯片尺寸：1.90 mm×1.05 mm×0.07 mm

RF/LO频率范围：70GHz~90GHz
IF频率范围：DC~12GHz
变频损耗：8.5dB(典型值)
LO-RF隔离度：22dB(典型值)
射频输入P1dB：3dBm
本振驱动功率：8dBm
直流供电：Vg=-0.5V
芯片尺寸：1.10 mm×1.05 mm×0.07 mm