TCC1959M
RF/LO频率范围：20GHz~50GHz
IF频率范围：DC~16GHz
变频损耗：9dB(典型值)
LO-RF隔离度：30dB(典型值)
射频输入P1dB：-3dBm
本振驱动功率：8dBm
直流供电：Vg=-0.5V
芯片尺寸：1.60 mm×2.00 mm×0.07 mm
IF频率范围：DC~16GHz
变频损耗：9dB(典型值)
LO-RF隔离度：30dB(典型值)
射频输入P1dB：-3dBm
本振驱动功率：8dBm
直流供电：Vg=-0.5V
芯片尺寸：1.60 mm×2.00 mm×0.07 mm
1.TCC1959M
TCC1959M是一款Q波段宽带混频器芯片，频率范围覆盖20GHz~50GHz，变频损耗典型值为9dB，本振-射频隔离度典型值为30dB，射频输入P1dB为-3dBm。
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