TCC1962M
RF频率范围：70GHz~110GHz
LO频率范围：60GHz~70GHz
IF频率范围：DC~35GHz
变频损耗：14dB(典型值)
LO-RF隔离度：20dB(典型值)
射频输入P1dB：3dBm
本振驱动功率：8dBm
直流供电：Vg=-0.8V
芯片尺寸：1.20 mm×0.90 mm×0.07 mm
LO频率范围：60GHz~70GHz
IF频率范围：DC~35GHz
变频损耗：14dB(典型值)
LO-RF隔离度：20dB(典型值)
射频输入P1dB：3dBm
本振驱动功率：8dBm
直流供电：Vg=-0.8V
芯片尺寸：1.20 mm×0.90 mm×0.07 mm
4.TCC1962M
TCC1962M是一款W波段高中频混频器芯片，频率范围覆盖70GHz~110GHz，变频损耗典型值为14dB，本振-射频隔离度典型值为20dB，射频输入P1dB为3dBm。
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