TCC1952M
RF/LO频率范围：200GHz~220GHz
IF频率范围：DC~15GHz
变频损耗：12dB(典型值)
射频输入P1dB：-5dBm
本振驱动功率：0dBm
直流供电：G1=-0.3V；G2=-0.6V；D1=D2=1.7V
芯片尺寸：2.80 mm×0.97 mm×0.05 mm
IF频率范围：DC~15GHz
变频损耗：12dB(典型值)
射频输入P1dB：-5dBm
本振驱动功率：0dBm
直流供电：G1=-0.3V；G2=-0.6V；D1=D2=1.7V
芯片尺寸：2.80 mm×0.97 mm×0.05 mm
8.TCC1952M
TCC1952M是一款G波段基波混频器芯片，频率范围覆盖200GHz~220GHz，变频损耗典型值为12dB，射频输入P1dB为-5dBm。
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